硅橡膠材料的工頻擊穿屬于破壞性放電試驗，國標 GB/T16927.1-1997 針對破壞性放電試驗利用正態分布、韋伯分布和二重指數分布來實現數據分析。對于工程電介質的擊穿強度，一般考慮的是韋伯分布。一般認為硅橡膠材料的擊穿強度大約為 20kV/mm 左右，電場強度的增大會引起通過介質的電流增大，溫度變化使得電阻率減小而產生的影響很小，最終引發擊穿。

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硅橡膠材料的工頻擊穿屬于破壞性放電試驗，國標 GB/T16927.1-1997 針對破壞性放電試驗利用正態分布、韋伯分布和二重指數分布來實現數據分析。對于工程電介質的擊穿強度，一般考慮的是韋伯分布。一般認為硅橡膠材料的擊穿強度大約為 20kV/mm 左右，電場強度的增大會引起通過介質的電流增大，溫度變化使得電阻率減小而產生的影響很小，最終引發擊穿。

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2012 年 10 月，清華大學的周遠翔，侯非，劉睿等人采用針板電極結構對高溫硫化硅橡膠做了工頻擊穿試驗，得出在 0~120℃的溫度范圍內，硅橡膠的擊穿場強隨著溫度的升高呈線性規律下降，從 25℃到 90℃擊穿場強減少了 4%。2014 年 5 月，中國電力科學研究院的常文治，閻春雨，畢建剛等人采用平板電極結構對具有局部缺陷的硅橡膠薄片施加工頻電壓，電壓上升到 18kV 并維持10min 后試品被擊穿，在材料內部出現電樹枝形成黑色放電通道，并引發整個絕緣擊穿。硅橡膠中產生電樹枝直至擊穿的過程可以分為電樹枝起始及生長階段、滯長階段以及快速生長階段。

2012 年 10 月，清華大學的周遠翔，侯非，劉睿等人采用針板電極結構對高溫硫化硅橡膠做了工頻擊穿試驗，得出在 0~120℃的溫度范圍內，硅橡膠的擊穿場強隨著溫度的升高呈線性規律下降，從 25℃到 90℃擊穿場強減少了 4%。2014 年 5 月，中國電力科學研究院的常文治，閻春雨，畢建剛等人采用平板電極結構對具有局部缺陷的硅橡膠薄片施加工頻電壓，電壓上升到 18kV 并維持10min 后試品被擊穿，在材料內部出現電樹枝形成黑色放電通道，并引發整個絕緣擊穿。硅橡膠中產生電樹枝直至擊穿的過程可以分為電樹枝起始及生長階段、滯長階段以及快速生長階段。