光刻膠又是一種化學合成的特殊硅橡膠。光刻膠的主要配料有硅橡膠基礎原料、氫氟酸、配位有機化合物等。硅橡膠基礎原料，硅橡膠基礎原料為硅橡膠的主要配料；硅橡膠基礎原料按硅橡膠厚度可分為超薄型(0.02-0.04um)和超厚型(0.04um-0.08um)。
光刻膠基礎原料，光刻膠基礎原料按原料顏色可分為深色光刻膠基礎原料和淺色光刻膠基礎原料(調和色光刻膠基礎原料僅有棕色、紅色、黃色等)。光刻膠基礎原料按光致敏性可分為光致敏、紅、綠、青、藍光刻膠基礎原料等。
光刻膠基礎原料比重，深色光刻膠基礎原料比重0.04u光致敏光刻膠基礎原料比重=0.04u，色散小的光刻膠基礎原料比重>0.04uf。光刻膠基礎原料厚度，深色光刻膠基礎原料厚度≥0.02um，紅綠青藍光刻膠基礎原料厚度≤0.04um。光致敏光刻膠基礎原料厚度≤0.04um光致敏光刻膠基礎原料厚度≤0.04uf/()。
光刻膠基礎原料配位度a)光刻膠基礎原料配位度大小一般與光刻膠基礎原料配位系數有關；光刻膠基礎原料配位度一般越小，其光致敏性越高。由上可知，光刻膠基礎原料的配位系數和光致敏率、光致敏率和光致敏率這三個概念是有關系的。
下面逐一解析。光刻膠基礎原料配位系數，如果光刻膠基礎原料配位系數小于0.001um，則光刻膠基礎原料的光致敏率較高，所以光刻膠的對敏率和光致敏率是波動的；如果光刻膠基礎原料配位系數大于0.001um，則光刻膠基礎原料的光致敏率較低，光刻膠的對敏率和光致敏率是穩定的。
光刻膠基礎原料配位系數與光刻膠基礎原料的尺寸和厚度有關，常用的光刻膠基礎原料的尺寸多為19nm和28nm，光刻膠的厚度一般為3nm-7nm。光刻膠基礎原料光致敏率，光刻膠基礎原料光致敏率越高，其光致敏率越高，光刻膠的光致敏率一般與光刻膠基礎原料的配位系數和光致敏率有關，一般低光刻膠基礎原料的光致敏率要比高光刻膠基礎原料的光致敏率低10-20%，高光刻膠基礎原料的光致敏率要比低光刻膠基礎原料的光致敏率高20-50%。
光刻膠基礎原料光致敏率，如果光刻膠基礎原料光致敏率在95%以上，則光刻膠的光致敏率在97%左右。光刻膠基礎原料光致敏率，如果光刻膠基礎原料光致敏率越高，則光刻膠的光致敏率越高，光刻膠的光致敏率一般在80-100%，光刻膠基礎原料光致敏率較低。
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